신뢰성이 높고 자체 설계된 D2PAK(TO-263) SiC 다이오드

간단한 설명:

포장 구조: D2PAK(TO-263)

소개: YUNYI D2PAK(TO-263) SiC 다이오드는 탄화 규소 재료로 제작되었으며 열 전도성이 높아 전력 밀도를 효과적으로 향상시킬 수 있습니다. SiC 다이오드의 높은 항복 전계 강도는 내전압을 높이고 크기를 줄이며, 높은 전자 항복 전계 강도는 반도체 전력 장치의 항복 전압을 높입니다. 동시에, 전자 파괴 전계 강도의 증가로 인해 불순물 침투 밀도를 증가시키는 경우 SiC 다이오드 파워 디바이스의 드리프트 영역의 광대역을 감소시켜 파워 디바이스의 크기를 줄일 수 있다. 줄일 수 있습니다.

우리에게 이메일을 보내

제품 세부정보

응답 시간 모니터링

측정 범위

제품 태그

YUNYI의 D2PAK(TO-263) SiC 다이오드의 장점:

1. 낮은 인덕턴스

2. 높은 수준의 품질로 경쟁력 있는 비용.

3. 짧은 리드타임으로 높은 생산 효율성을 제공합니다.

4. 작은 크기로 회로 기판 공간 최적화에 도움

칩 생산 단계:

1. 기계식 프린팅(초정밀 자동 웨이퍼 프린팅)

2. 자동 첫 에칭 (자동 에칭 장비, CPK>1.67)

3. 자동 극성 테스트(정확한 극성 테스트)

4. 자동 조립 (자체 개발 자동 정밀 조립)

5. 납땜(질소 및 수소 혼합 진공 납땜으로 보호)

6. 자동 2차 에칭(초순수를 이용한 자동 2차 에칭)

7. 자동접착(자동정밀접착장치로 균일한 접착 및 정밀계산 실현)

8. 자동 열 시험(열 시험기에 의한 자동 선택)

9. 자동 테스트(다기능 테스터)

제품 매개변수:

부품 번호	패키지	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	650	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	650	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	650	6	70	3(일반 0.03)	1.7(일반 1.5)
ZICRB10650CT	D2PAK	650	10	60	60	1.7
ZICRB10650	D2PAK	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	D2PAK	650	10	115	40(0.7 일반)	1.7(일반 1.45)
ZICRB20650A	D2PAK	650	20	70	100	1.7
ZICRB101200	D2PAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRB12600	D2PAK	600	12	50	150	1.7
ZICRB12650	D2PAK	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	D2PAK	650	30	255	140(일반 4개)	1.7(일반 1.4)
Z4D05120G	D2PAK	1200	5	19	200(일반 20)	1.8(일반 1.65)
Z4D20120G	D2PAK	1200	20	162	200(일반 35)	1.8(일반 1.5)
Z3D20065G	D2PAK	650	20	170	50(일반 1.5)	1.7(일반 1.45)
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	6.0	70.0	3(일반 0.03)	1.7(일반 1.5)