높은 열전도율 DPAK(TO-252AA) SiC 다이오드

간단한 설명:

포장 구조: DPAK(TO-252AA)

소개: 탄화규소 재료로 제작된 YUNYI DPAK(TO-252AA) SiC 다이오드는 열 전도성이 높고 열 전달 능력이 강하여 전력 장치의 전력 밀도를 향상시키는 데 더 도움이 되므로 다음 용도에 더 적합합니다. 고온 환경에서 작업. SiC 다이오드의 높은 항복 전계 강도는 내전압을 높이고 크기를 줄이며, 높은 전자 항복 전계 강도는 반도체 전력 장치의 항복 전압을 높입니다. 동시에, 전자 파괴 전계 강도의 증가로 인해 불순물 침투 밀도를 증가시키는 경우 SiC 다이오드 파워 디바이스의 드리프트 영역의 광대역을 감소시켜 파워 디바이스의 크기를 줄일 수 있다. 줄일 수 있습니다.

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YUNYI DPAK(TO-252AA) SiC 다이오드의 장점:

1. 높은 수준의 품질로 경쟁력 있는 가격

2. 짧은 리드타임으로 높은 생산 효율성

3. 작은 크기로 회로 기판 공간 최적화에 도움

4. 다양한 자연 환경에서도 안정적이고 신뢰할 수 있습니다.

5. 자체 개발한 저손실 칩

칩 생산 절차:

1. 기계식 프린팅(초정밀 자동 웨이퍼 프린팅)

2. 자동 첫 에칭 (자동 에칭 장비, CPK>1.67)

3. 자동 극성 테스트(정확한 극성 테스트)

4. 자동 조립 (자체 개발 자동 정밀 조립)

5. 납땜(질소 및 수소 혼합 진공 납땜으로 보호)

6. 자동 2차 에칭(초순수를 이용한 자동 2차 에칭)

7. 자동접착(자동정밀접착장치로 균일한 접착 및 정밀계산 실현)

8. 자동 열 시험(열 시험기에 의한 자동 선택)

9. 자동 테스트(다기능 테스터)

제품 매개변수:

부품 번호	패키지	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650	6	70	3(일반 0.03)	1.7(일반 1.5)
ZICRD10650CT	DPAK	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650	3	46	2(일반 0.03)	1.7(일반 1.4)
Z3D10065E	DPAK	650	10	115	40(0.7 일반)	1.7(일반 1.45)
Z4D04120E	DPAK	1200	4	46	200(일반 20)	1.8(일반 1.5)
Z4D05120E	DPAK	1200	5	46	200(일반 20)	1.8(일반 1.65)
Z4D02120E	DPAK	1200	2	44	50(보통 10)	1.8(일반 1.5)
Z4D10120E	DPAK	1200	10	105	200(일반 30)	1.8(일반 1.5)
Z4D08120E	DPAK	1200	8	64	200(일반 35)	1.8(일반 1.6)
Z3D10065E2	DPAK	650	10	70(다리당)	8(일반 0.002)(다리당)	1.7(일반 1.5)(다리당)