고신뢰성 자체 설계 D2PAK(TO-263) SiC 다이오드

높은 신뢰성과 자체 설계를 갖춘 D2PAK(TO-263) SiC 다이오드 특징 이미지

간단한 설명:

패키징 구조: D2PAK(TO-263)

소개: 실리콘 카바이드 소재로 제작된 YUNYI D2PAK(TO-263) SiC 다이오드는 높은 열전도도를 가지고 있어 전력 밀도를 효과적으로 향상시킬 수 있습니다. SiC 다이오드의 높은 항복 전계 강도는 내전압을 높이고 크기를 줄이며, 높은 전자 항복 전계 강도는 반도체 전력 소자의 항복 전압을 높입니다. 동시에 전자 항복 전계 강도가 증가함에 따라 불순물 침투 밀도를 증가시킬 경우 SiC 다이오드 전력 소자의 드리프트 영역의 광대역을 줄일 수 있어 전력 소자의 크기를 줄일 수 있습니다.

우리에게 이메일을 보내주세요

제품 상세 정보

응답 시간 모니터링

측정 범위

제품 태그

YUNYI의 D2PAK(TO-263) SiC 다이오드의 장점:

1. 낮은 인덕턴스

2. 높은 수준의 품질을 갖춘 경쟁력 있는 가격.

3. 짧은 리드타임으로 높은 생산 효율성이 있습니다.

4. 작은 크기로 회로기판 공간 최적화에 도움

칩 생산 단계:

1. 기계식 인쇄(초정밀 자동 웨이퍼 인쇄)

2. 자동 1차 에칭(자동 에칭 장비, CPK>1.67)

3. 자동 극성 테스트(정밀 극성 테스트)

4. 자동조립 (자체개발 자동정밀조립)

5. 납땜(질소와 수소의 혼합가스로 보호 진공 납땜)

6. 자동 2차 에칭(초순수를 이용한 자동 2차 에칭)

7. 자동 접착 (자동 정밀 접착 장비로 균일한 접착 및 정밀 계산 실현)

8. 자동 열 테스트(열 테스터에 의한 자동 선택)

9. 자동 테스트(다기능 테스터)

제품의 매개변수:

부품 번호	패키지	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
지크RB5650	디투팍	650	5	60	60	2
지아이씨알브6650	디투팍	650	6	60	50	2
Z3D06065G	디투팍	650	6	70	3(일반적으로 0.03)	1.7(일반적으로 1.5)
ZICRB10650CT	디투팍	650	10	60	60	1.7
지아이씨알브10650	디투팍	650	10	110	100	1.7
Z3D10065G	디투팍	650	10	115	40(일반적으로 0.7)	1.7(일반적으로 1.45)
ZICRB20650A	디투팍	650	20	70	100	1.7
지아이씨알브101200	디투팍	1200	10	110	100	1.8
지아이씨알브12600	디투팍	600	12	50	150	1.7
지아이씨알브12650	디투팍	650	12	50	150	1.7
Z3D30065G	디투팍	650	30	255	140(일반적으로 4개)	1.7(일반적으로 1.4)
Z4D05120G	디투팍	1200	5	19	200(일반적으로 20개)	1.8(일반적으로 1.65)
Z4D20120G	디투팍	1200	20	162	200(일반적으로 35개)	1.8(일반적으로 1.5)
Z3D20065G	디투팍	650	20	170	50(일반적으로 1.5)	1.7(일반적으로 1.45)
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	6.0	70.0	3(일반적으로 0.03)	1.7(일반적으로 1.5)