높은 열전도도 DPAK(TO-252AA) SiC 다이오드

간단한 설명:

패키징 구조: DPAK(TO-252AA)

소개: 실리콘 카바이드 소재로 제작된 YUNYI DPAK(TO-252AA) SiC 다이오드는 높은 열전도도와 강력한 열 전달 능력을 갖추고 있어 전력 소자의 전력 밀도 향상에 더욱 효과적이므로 고온 환경에서의 작동에 더욱 적합합니다. SiC 다이오드의 높은 항복 전계 강도는 내전압을 높이고 크기를 줄이며, 높은 전자 항복 전계 강도는 반도체 전력 소자의 항복 전압을 높입니다. 동시에 전자 항복 전계 강도가 증가함에 따라 불순물 침투 밀도를 증가시킬 경우 SiC 다이오드 전력 소자의 드리프트 영역의 광대역을 줄일 수 있어 전력 소자의 크기를 줄일 수 있습니다.

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YUNYI의 DPAK(TO-252AA) SiC 다이오드의 장점:

1. 높은 수준의 품질과 경쟁력 있는 가격

2. 짧은 리드타임으로 높은 생산 효율성

3. 소형으로 회로기판 공간 최적화에 도움

4. 다양한 자연환경에서도 안정적이고 신뢰성이 우수

5. 자체 개발한 저손실 칩

칩 생산 절차:

1. 기계식 인쇄(초정밀 자동 웨이퍼 인쇄)

2. 자동 1차 에칭(자동 에칭 장비, CPK>1.67)

3. 자동 극성 테스트(정밀 극성 테스트)

4. 자동조립 (자체개발 자동정밀조립)

5. 납땜(질소와 수소의 혼합가스로 보호 진공 납땜)

6. 자동 2차 에칭(초순수를 이용한 자동 2차 에칭)

7. 자동 접착 (자동 정밀 접착 장비로 균일한 접착 및 정밀 계산 실현)

8. 자동 열 테스트(열 테스터에 의한 자동 선택)

9. 자동 테스트(다기능 테스터)

제품의 매개변수:

부품 번호	패키지	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
지씨알디5650	디팍	650	5	60	60	2
지씨알디6650	디팍	650	6	60	50	2
Z3D06065E	디팍	650	6	70	3(일반적으로 0.03)	1.7(일반적으로 1.5)
지씨알디10650CT	디팍	650	10	60	60	1.7
지씨알디10650	디팍	650	10	110	100	1.7
지씨알디101200	디팍	1200	10	110	100	1.8
지씨알디12600	디팍	600	12	50	150	1.7
지씨알디12650	디팍	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	디팍	650	3	46	2(일반적으로 0.03)	1.7(일반적으로 1.4)
Z3D10065E	디팍	650	10	115	40(일반적으로 0.7)	1.7(일반적으로 1.45)
Z4D04120E	디팍	1200	4	46	200(일반적으로 20개)	1.8(일반적으로 1.5)
Z4D05120E	디팍	1200	5	46	200(일반적으로 20개)	1.8(일반적으로 1.65)
Z4D02120E	디팍	1200	2	44	50(일반적으로 10개)	1.8(일반적으로 1.5)
Z4D10120E	디팍	1200	10	105	200(일반적으로 30개)	1.8(일반적으로 1.5)
Z4D08120E	디팍	1200	8	64	200(일반적으로 35개)	1.8(일반적으로 1.6)
Z3D10065E2	디팍	650	10	70(다리당)	8(일반적으로 0.002)(다리당)	1.7(일반적으로 1.5)(다리당)